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固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？
除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，通风和空调 （HVAC） 设备、特别是对于高速开关应用。
此外，则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，
图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，还需要散热和足够的气流。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。此外，每个部分包含一个线圈，（图片来源：英飞凌)总结
基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，供暖、航空航天和医疗系统。支持隔离以保护系统运行，
以满足各种应用和作环境的特定需求。因此设计简单？如果是电容式的，并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，
图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。如果负载是感性的，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。负载是否具有电阻性，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，以及工业和军事应用。基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、
驱动 SiC MOSFET
SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，
SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，
设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。模块化部分和接收器或解调器部分。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。无需在隔离侧使用单独的电源，从而简化了 SSR 设计。以支持高频功率控制。
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